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雙面散熱封裝技術(shù)與芯片封裝清洗 - 合明科技

發(fā)布日期:2023-06-07 10:29:44     來源:芯片封裝清洗     作者:合明科技     瀏覽次數(shù):114
核心提示:雙面散熱封裝技術(shù)與芯片封裝清洗,雙面封裝工藝由于可以雙面散熱、體積小,較多用于電動汽車內(nèi)部 IGBT 的封裝應(yīng)用。芯片封裝清洗:合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

今天小編為大家?guī)硪黄P(guān)于雙面散熱封裝技術(shù)與芯片封裝清洗介紹~

一、雙面散熱封裝技術(shù)雙面封裝工藝由于可以雙面散熱、體積小,較多用于電動汽車內(nèi)部 IGBT 的封裝應(yīng)用。圖7為一典型的雙面散熱封裝 SiC 模塊,該模塊上下表面均采用 DBC 板進行焊接,所以可實現(xiàn)上下表面同時散熱。

1-雙面散熱封裝技術(shù)與芯片封裝清洗介紹,合明科技.jpg

該工藝的難點在于,芯片上表面需要進行濺射或電鍍處理使其可焊接,并且在芯片上表面增加金屬墊片、連接柱等來消除同一模塊中不同高度芯片的高度差。再加上 SiC 芯片普遍面積小,如何保證在上表面有限面積范圍內(nèi)的焊接質(zhì)量是該工藝過程中的關(guān)鍵。得益于上下 DBC 的對稱布線與合理的芯片布局,該封裝可將回路寄生電感參數(shù)降到3nH 以下,模塊熱阻相比于傳統(tǒng)封裝下降38%。國內(nèi)如株洲中車時代電氣、天津大學等團隊都對此類雙面封裝模塊進行了熱、電氣、可靠性等多方面的研究。

2--雙面散熱封裝技術(shù)與芯片封裝清洗介紹,合明科技.png

CPES 針對 10kV 的 SiC MOSFET 采用了如圖 8所示的封裝設(shè)計。使用銀燒結(jié)技術(shù)將芯片和敷鋁陶瓷板(direct bonded aluminum,DBA)、鉬片相連接。其中芯片下部采用兩層 DBA 板疊加,并將中間層連接到母線中間電壓,一方面可以減小板子邊緣的場強,另一方面減小了橋臂中點對地的寄生電容,降低 EMI。該模塊可以采用雙面散熱,也可將瓷片電容焊接在芯片上部 DBA 板上,減小回路寄生電感到小于 5nH。圖 9 為浙江大學和阿肯色大學合作提出的一種用于 SiC MOSFET 的雙面壓接模塊。該模塊使用低溫共燒陶瓷(LTCC)工藝和帶有彈性的 Fuzz Button 取代傳統(tǒng) DBC 板和金屬鍵合線實現(xiàn)芯片互聯(lián)以及散熱設(shè)計,回路寄生電感參數(shù)僅為 4.3nH。不足之處在于 LTCC 導熱系數(shù)低,而且壓接模塊的特性對外部壓力反應(yīng)敏感。此外還有浙江大學與阿爾堡大學合作設(shè)計的直接通過螺釘固定的雙面壓接 SiC MOSFET 模塊,也實現(xiàn)了低寄生電感參數(shù)和良好均勻的散熱特性。

3--雙面散熱封裝技術(shù)與芯片封裝清洗介紹,合明科技.png

二、芯片清洗

芯片封裝清洗合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物,到底哪些才是z備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導,從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量z主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。


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