今天小編為大家?guī)硪黄P(guān)于功率半導(dǎo)體清洗劑廠與功率半導(dǎo)體介紹~

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，在電子電路中起到功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)、線路保護(hù)和整流等作用，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。

功率半導(dǎo)體分立器件主要包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(metal-Oxide-Semiconductor Field-Effe ct Transistor, MOSFET)，雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT），以及絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT) 。

功率半導(dǎo)體集成電路芯片主要包括交直流電源變換器（AC/DC），直流電源變換器（DC/DC），以及功率集成電路(power ic，常簡寫為PIC)為主。

資料來源：《碳化硅技術(shù)基本原理》，浙商創(chuàng)新

1. BJT

1956年，威廉·肖克利（William Shockley）、約翰·巴?。↗ohn Bardeen）和沃爾特·布喇頓（Walter Brattain）因為三極管的發(fā)明工作被授予諾貝爾物理學(xué)獎。

三極管是一種電流控制器件，電子和空穴同時參與導(dǎo)電。三極管結(jié)構(gòu)有NPN和PNP兩種，因為電子比空穴有更高的遷移率，所以NPN比PNP型三極管獲得更廣泛的應(yīng)用。

三極管的輸出特性可以分為截止區(qū)（cut-off region）、線性放大區(qū)（acitve region）、飽和區(qū)（saturation region）。

2. MOSFET

MOSFET以一塊低摻雜的P型硅片為襯底，利用擴散工藝制作兩個高摻雜的N+區(qū)，并引入兩個電極分別為源極S(Source)和漏極D(Drain),半導(dǎo)體上制作一層SiO2絕緣層，再在SiO2上面制作一層金屬鋁Al，引出電極，作為柵極G(Gate)。柵極和襯底各相當(dāng)于一個極板，中間是絕緣層，形成電容。當(dāng)柵-源電壓變化時，將改變襯底靠近絕緣層處感應(yīng)電荷的多少，從而控制漏極電流的大小。

3. IGBT

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管（metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（metal-Oxide-Semiconductor Field-Effe ct Transistor, MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和 MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N 一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”，作為國 家 戰(zhàn) 略 性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。

IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。

4. 功率半導(dǎo)體IGBT清洗

IGBT模塊清洗

為應(yīng)對能源危機和生態(tài)環(huán)境惡化等問題，世界各國均在大力發(fā)展新能源汽車、高壓直流輸電等新興應(yīng)用，促進(jìn)了大功率電力電子變流裝置的廣泛應(yīng)用。大功率變流裝置的可靠性對這些應(yīng)用而言十分重要。裝置的可靠性與其核心器件IGBT密切相關(guān)。

目前，大量的IGBT仍在采用傳統(tǒng)的正溴丙烷等溶劑清洗清洗，隨著對環(huán)保的管控和對產(chǎn)品可靠性的要求不斷提高，原有的傳統(tǒng)溶劑清洗已不能滿足IGBT清洗。對此，合明提出新型的IGBT清洗方案。

合明科技半水基清洗工藝解決方案，采用合明科技專利配方，可在清洗IGBT凹槽內(nèi)存在大量的錫膏殘留的同時去除金屬界面高溫氧化膜，更含有保護(hù)芯片獨特的材料；配方材料親水性強，清洗后易于用水漂洗干凈。

歡迎使用合明科技半水基清洗劑清洗IGBT模塊。

推薦使用合明科技水基清洗劑，針對電子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比較豐富的經(jīng)驗，對于有著低表面張力、低離子殘留、配合不同清洗工藝使用的情況，自主開發(fā)了較為完整的水基系列產(chǎn)品，精細(xì)化對應(yīng)涵蓋從半導(dǎo)體封裝到PCBA組件終端，包括有水基清洗劑和半水基清洗劑，堿性水基清洗劑和中性水基清洗劑等。具體表現(xiàn)在，在同等的清洗力的情況下，合明科技的兼容性較佳，兼容的材料更為廣泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗劑清洗的錫膏種類更多（測試過的錫膏品種有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；測試過的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，離子殘留低、干凈度更好。

以上便是功率半導(dǎo)體清洗劑廠與功率半導(dǎo)體介紹，希望可以幫到您！