无码精品一区二区三区在线播放,亚洲国产欧美另类久久,末成年女AV片一区二区丫,国产一级颜射

Hi,你好,歡迎來(lái)到艾德商務(wù)網(wǎng)
當(dāng)前位置: 艾德商務(wù)網(wǎng) » 頭條 » 能源行業(yè) » 正文»芯片正面平面互連封裝與芯片封裝前清洗介紹 - 合明科技

芯片正面平面互連封裝與芯片封裝前清洗介紹 - 合明科技

發(fā)布日期:2023-06-07 09:56:18     來(lái)源:芯片封裝前清洗     作者:合明科技     瀏覽次數(shù):145
核心提示:芯片正面平面互連封裝與芯片封裝前清洗介紹,平面互連的方式不僅可以減小電流回路,進(jìn)而減小雜散電感、電阻,還擁有更出色的溫度循環(huán)特性以及可靠性。芯片封裝清洗:合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

今天小編為大家?guī)?lái)一篇關(guān)于芯片正面平面互連封裝與芯片封裝前清洗介紹~

一、芯片正面平面互連封裝:除采用柔性 PCB 板取代金屬鍵合線(xiàn)外,還可使用平面互連的連接方式來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片正面的連接。圖 5 為 SiliconPower 公司采用端子直連(direct lead bonding,DLB)的焊接方法,類(lèi)似的還有IR 的Cu-Clip IGBT,Siemens 的 SiPLIT 技術(shù)等。平面互連的方式不僅可以減小電流回路,進(jìn)而減小雜散電感、電阻,還擁有更出色的溫度循環(huán)特性以及可靠性。

1-芯片正面平面互連封裝與芯片封裝前清洗介紹,合明科技.png

用于 SiC 芯片的埋入式封裝也可認(rèn)為是一種芯片正面的平面直連封裝。如圖 6 所示,該方法將芯片置于陶瓷定位槽中,再用絕緣介質(zhì)填充縫隙,z后覆蓋掩膜兩面濺射金屬銅,實(shí)現(xiàn)電極連接。通過(guò)選擇合理的封裝材料,減小了模塊在高溫時(shí)的層間熱應(yīng)力,并能在 279℃的高溫下測(cè)量模塊的正反向特性。

2-芯片正面平面互連封裝與芯片封裝前清洗介紹,合明科技.png

平面直連的封裝工藝通過(guò)消除金屬鍵合線(xiàn),將電流回路從 DBC 板平面布局拓展到芯片上下平面的層間布局,顯著減小了回路面積,可實(shí)現(xiàn)低雜散電感參數(shù),與之后介紹的雙面散熱封裝以及三維封裝實(shí)現(xiàn)低雜散電感的基本思路相同,只是實(shí)現(xiàn)方式略有不同。

二、芯片封裝清洗

芯片封裝清洗合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿(mǎn)足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類(lèi)。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物,到底哪些才是z備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量z主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。


頭條分類(lèi)

頭條排行

相關(guān)資訊