電子信息技術(shù)是促進(jìn)社會(huì)經(jīng)濟(jì)快速發(fā)展的主要力量，先進(jìn)封裝在提高系統(tǒng)性能方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，SIP封裝（System In a Package系統(tǒng)級(jí)封裝）是將多種功能集成到單個(gè)基板上的重要封裝平臺(tái)，可通過更短的互連實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本、設(shè)計(jì)靈活性和優(yōu)越的電氣性能。從而快速實(shí)現(xiàn)一個(gè)基本功能完整的封裝方案。目前SIP封裝已大量出現(xiàn)在 5G、物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)、消費(fèi)者、電信和汽車應(yīng)用程序中。
隨著SIP系統(tǒng)級(jí)封裝迅速成為越來越多應(yīng)用和市場(chǎng)的首先選擇封裝選項(xiàng)，引發(fā)了圍繞新材料、方法和工藝的狂熱活動(dòng)。從產(chǎn)品的特點(diǎn)來看，其電子信息技術(shù)含量高、升級(jí)潛力大、行業(yè)污染小、產(chǎn)品附加值高、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)、發(fā)展空間大等等優(yōu)勢(shì)，這些都是其他技術(shù)無可比擬的。
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“雙碳”戰(zhàn)略讓綠色環(huán)保生產(chǎn)工藝勢(shì)在必行
精密元器件清洗環(huán)節(jié)作為電子制造業(yè)能耗和環(huán)保z大支出環(huán)節(jié)之一，如果技術(shù)路線與制程工藝選擇不合理，不但將會(huì)給企業(yè)帶來巨大的能源消耗浪費(fèi)，SIP系統(tǒng)級(jí)封裝清洗劑的選擇不當(dāng)同樣會(huì)降低產(chǎn)品品質(zhì)，加大企業(yè)污染排放，一些對(duì)人體有毒害的有機(jī)化學(xué)清洗劑，還會(huì)對(duì)操作人員造成嚴(yán)重的職業(yè)病危害，甚至危及生命安全。
SIP系統(tǒng)級(jí)封裝集合了SMT組件制程工藝和半導(dǎo)體芯片封裝工藝，工藝制成中和工藝完成后，都必須對(duì)所產(chǎn)生的焊膏、錫膏殘留物以及其他的污垢進(jìn)行徹底的清洗和去除，從而達(dá)到組件可靠性的技術(shù)要求。因?yàn)槠骷⑿〉年P(guān)系，使得清洗工藝以及清洗難度大幅提高，為了保障清洗的z終結(jié)果，必須嚴(yán)格制定清洗工藝和選擇相應(yīng)的清洗劑，既滿足清除污垢的要求，又能保證良好的材料兼容性。
SIP系統(tǒng)級(jí)封裝水基清洗工藝介紹：
SIP系統(tǒng)級(jí)封裝清洗，首要考慮的是選擇合適的清洗工藝。清洗工藝中考慮點(diǎn)： 可選半水基和水基清洗工藝，往往在SIP制程中，我們既要考慮針對(duì)的清洗對(duì)象包括器件和芯片，還要考慮能夠去除器件和芯片相關(guān)的污垢和殘留物，那么清洗劑的選擇尤為重要，工藝的選擇依據(jù)清洗劑的選擇來制定。半水基的兼容性范圍寬，安全性好，去除能力強(qiáng)； 水基成本低，效率高。
在SIP系統(tǒng)級(jí)封裝清洗劑選擇中，首先在滿足技術(shù)要求條件的前提下，首先選擇水基工藝，如水基工藝不能滿足工藝制程要求，在材料兼容性上缺乏保障度，其次選擇半水基清洗劑，清洗劑選擇確定以后，而后要考慮的是實(shí)現(xiàn)工藝的設(shè)備條件，清洗劑一般來說都有比較寬泛的使用范圍，都可以適用于噴淋和超聲波清洗工藝，往往SIP清洗工藝制程中，大部分客戶為了考慮SIP器件的可靠性和安全性，首先選擇噴淋清洗工藝。
超聲波工藝是通過空化效應(yīng)而實(shí)現(xiàn)物理力，噴淋清洗工藝是靠壓力液體的沖擊而產(chǎn)生物理力，以這兩種物理力的區(qū)分來看，噴淋工藝的安全性要比超聲工藝安全性要高，所以在選項(xiàng)上應(yīng)首先選擇噴淋清洗工藝。
水基清洗劑配合噴淋清洗工藝，為了達(dá)到極高標(biāo)準(zhǔn)的干凈度和對(duì)金屬材料、非金屬材料、化學(xué)材料兼容性要求，需要對(duì)清洗噴淋的壓力、噴淋角度方向、清洗劑溫度濃度等等參數(shù)進(jìn)行嚴(yán)格地規(guī)范，才可保證全面技術(shù)要求。因?yàn)榧夹g(shù)要求高，往往清洗的工藝窗口非常窄小，每一項(xiàng)指標(biāo)都需嚴(yán)格控制。
只有將各類工藝條件和參數(shù)，控制在確定的范圍，才能保證z終的清洗結(jié)果是理想的預(yù)期值。
關(guān)于清洗干凈度，應(yīng)特別關(guān)注芯片底部、器件底部殘留物的清除狀況，只有將micro gap的殘留物徹底清除才可真正實(shí)現(xiàn)殘留物的完全清除而達(dá)到干凈度的高要求。
檢測(cè)和觀察方式只可使用機(jī)械方式打開已清洗的器件和芯片底部進(jìn)行觀測(cè)，才可判定它的清洗結(jié)果狀況，不可使用加熱取件的方式來檢查底部的清潔狀況。
